经X-RAY无损检测，未发现明显异常。
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通过C-SAM扫描发现了IC内部存在分层现象。
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图5.NG样品C-SAM图片
通过IV曲线测试，发现引脚间存在漏电通道。
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图6.NG样品IV曲线图
DE-CAP后，利用SEM/EDS进行分析，确认了引脚间存在银迁移问题。
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表1.开封后的NG样品内部EDS测试结果(Wt%)
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3.结论
IC内部存在分层，由于水汽的入侵，加上集成电路各引脚之间存在电位差，导致了引脚间的银迁移，从而在引脚间形成微导通电路，致IC输出异常。
4.参考标准
GJB 548B-2005 微电子器件失效分析程序-方法5003。
IPC-TM-650 2.1.1-2004手动微切片法。
GB/T 17359-2012 电子探针和扫描电镜X射线能谱定量分析通则。